ファブの現場では、フォトレジストの焼成時に0.5℃の温度変動があっただけで、300mmウェハが廃棄処分になってしまいます。したがって、温度制御は単なる補助的な作業ではなく、プロセスが成立するための不可欠な要素です。私たちは、ウェハ全体の温度を±0.1℃以内に保つことができるNIR加熱システムを開発しました。これにより、ソフトベイクやハードベイクの過程でも、重要な寸法が規定値を維持されます。
内部で何が重要か 私たちは、高速応答性のあるカーボンファイバー素子と組み合わせた近赤外線光源を使用しているため、急激な温度上昇が起きてもオーバーシュートすることはありません。クローズドループ制御により、たとえベイク時間が1分未満であっても、ウェハ全体の温度が安定しています。また、設計段階からクリーンルーム環境が考慮されており、ガス放出が少ない材料や、運転中に粒子が発生しない表面が採用されています。その結果、シフトごとに再現性の高い焼成プロファイルが得られ、エネルギー消費もサイクルタイムに応じて適切に管理されます。
なぜこれが重要か リソグラフィーやフォトレジスト処理においては、温度の均一性がCDやプロファイルの再現性を決定します。私たちのNIRヒーターは、先進的なプロセスノードの熱的条件に合致しており、ラインエッジの粗さをより厳密に制御し、再作業を減らすことができます。その結果、不良率が減少し、安定した生産性が得られます。パッケージングラインにおいても、同様の精度により、均一な硬化処理と堅固な接合が実現され、廃棄や再作業が削減されます。
計画するべきこと このプラットフォームは国際的な半導体装置基準を満たしており、既存の装置とも互換性があります。しかし、クリーンルームのクラスや排気系統、電力供給については注意が必要です。調整には短い時間がかかりますが、一度設定すれば、ほとんど調整を必要とせずに正常に動作します。